来源:华引芯近日, BOE(京东方)推出全球领先的110吋裸眼3D终端,并于SID 2024国际显示周惊艳亮相。产品采用了华引芯高色域NCSP系列Mini-LED背光源及算法加持,色域高达104%NTSC,对比度达1,000,000:1,同时具备16K超高清分辨率,超1米出屏深度,可为用户带来超强视
来源:Silicon Semiconductor推出 Ultra ECP ap-p 设备 - 可提供良好的均匀性,为下一代芯片封装提供性能和成本效率。ACM Research 推出了专为扇出面板级封装 (FOPLP) 设计的新型面板电化学电镀 (Ultra ECP ap-p) 设备。这款新设备采用水
长电科技8月11日发布晚间公告称,公司于2024年3月4日召开的第八届董事会第五次临时会议,审议通过了《关于公司全资子公司长电科技管理有限公司收购晟碟半导体(上海)有限公司80%股权的议案》,同意长电科技管理有限公司以现金方式收购 SANDISKCHINA LIMITED持有的晟碟半导体(上海)有限
据toms hardware消息,日本芯片制造商Rapidus Corporation正在日本北部建设一家芯片制造厂,该公司表示将使用机器人和人工智能创建一个完全自动化的生产线,用于生产用于高级AI应用的2纳米芯片。据《日经亚洲》报道,其2纳米芯片的原型设计将于明年开始,但大规模生产至少要到2027
微流控芯片系统(Microfluidic Chip System)如图1所示,又称为芯片实验室(Labona Chip),是一种通过在微米尺度上操纵流体流动,继而进行各种生化分析的实验平台,该平台一般只有几平方厘米大小,可实现规模的集成化,达到多种分析同时进行的效果。微流控芯片技术一般是指利用微尺度
人工智能的飞速发展迫切需要高速非易失存储技术。当前主流非易失闪存的编程速度普遍在百微秒级,无法支撑应用需求。记者从复旦大学获悉,该校周鹏-刘春森团队在国际上首次实现了最大规模1Kb纳秒超快闪存阵列集成验证,并证明了其超快特性可延伸至亚10纳米。北京时间8月12日下午,相关成果以“二维超快闪存的规模集
自动缓解热问题成为异构设计中的首要任务。3D-IC 和异构芯片将需要对物理布局工具进行重大改变,其中芯片的放置和信号的布线会对整体系统性能和可靠性产生重大影响。EDA 供应商非常清楚这些问题,并正在致力于解决方案。3D-IC 面临的首要挑战是散热。逻辑通常会产生最多的热量,而将逻辑芯片堆叠在其他逻辑
来源:铠侠,BiCS FLASH 3D闪存的特点- EE Times随着人工智能(AI)和数字化转型(DX)导致数据呈指数级增长,NAND闪存已成为一项越来越重要的技术。铠侠株式会社的第八代BiCS FLASH 3D闪存现已量产,它依赖于一种称为CMOS直接键合到阵列(CBA)的新技术。CBA由两个
从纳米到埃米,芯片制造商正在竭尽全力缩小电路的尺寸。但对于人们日益增长的算力需求,一项涉及更大尺寸(数百或数千纳米)的技术在未来五年内可能同样重要。这项技术称为直接混合键合(Hybrid Bonding),可在同一封装中将两个或多个芯片堆叠在一起,构建所谓的 3D 芯片。尽管由于摩尔定律逐渐崩溃,晶
随着硅基商用晶体管尺寸的不断缩减,物理极限、功耗和成本等挑战日益凸显,为了满足集成电路对集成度和计算能力的需求,亟需引入新原理、新结构和新材料。半导体型阵列碳纳米管(A-CNT)因其高载流子迁移率、超薄结构和对称能带等优越特性,成为研究的热点。基于A-CNT制备的互补金属氧化物半导体场效应晶体管(C
来源:蔡司显微镜黄承梁随着显微镜技术的发展,半导体用户对显微镜的需求已经不仅仅停留在微观结构的成像上,而是希望通过硬件和软件方案的相结合,提高失效分析(FA)的效率、准确率,并尽可能的减少人工操作带来的不确定性。为此,蔡司提供客制化的软件解决方案,利用AI技术,在分类(classification)
来源:原子创意 研究背景近年来,随着硅场效应晶体管(FETs)在缩放方面接近其基本极限,新一代半导体通道材料的需求变得尤为迫切。二维材料(2D)如二硫化钼(MoS2),因其原子级薄厚度和高载流子迁移率,显示出在未来晶体管中的巨大潜力。然而,尽管2D材料具备优越的物理和电学特性,适用于它们的高质量介电
【扫一扫,关注我们】
版权所有 © 2021 语音芯片,蓝牙芯片,AIOT芯片,ble数传芯片,蓝牙芯片方案定制—IM电竞体育app官方网站 Al Rights Reseved 备案号:粤ICP备2022101639号-1 网站地图 管理登陆