3月17日,韩国SK集团董事长崔泰源在美国加州圣何塞举行的英伟达GTC大会上表示,由于芯片生产存在系统性瓶颈,他预计全球内存芯片短缺的情况很可能会持续到2030 年。与此同时,他预计DRAM、NAND和 HBM等各类存储芯片的价格将持续上涨,涨势可能会持续较长时间。上个月,崔泰源在参加于美国华盛顿特
慧荣科技(NasdaqGS: SIMO)作为设计和推广固态存储设备NAND闪存主控芯片的全球领先的企业之一,今日宣布将在NVIDIA GTC 2026的3015号展台展示丰富的差异化企业级SSD主控芯片和PCIe NVMe BGA启动SSD产品组合,专为满足NVIDIA AI生态系统不断演进的需求而
2026国际集成电路展览会暨研讨会(IIC Shanghai)将于3月31日- 4月1日 上海浦东丽思卡尔顿酒店盛大启幕!专业观众报名通道已开启,免费注册即可锁定席位!无论您是IC行业技术达人、企业决策层、研发工程师,还是深耕产业链的从业者,这里都是您洞察芯趋势、链接优质资源、拓展行业人脉的年度必参
据韩国媒体 BusinessKorea 报道,全球半导体巨头三星电子(Samsung Electronics)近日正式确认,已启动第八代高带宽内存 HBM5 的开发工作。在这一代产品中,三星计划打破行业传统,在其底层芯片(Base Die)上首次应用 2 纳米(nm) 先进制程工艺。在近日于美国加州
当地时间2026年3月16日,意法半导体与英伟达正式宣布建立合作关系,双方将携手加速全球物理人工智能系统的开发与应用,重点覆盖人形机器人、工业机器人、服务机器人及医疗保健机器人四大领域,此次合作标志着两大半导体巨头在机器人与AI融合领域的深度布局。根据双方官方披露的合作内容,意法半导体将发挥其在硬件
天域半导体3月17日在港交所发布公告,截至2025年12月31日止年度(“2025年财政年度”),集团预期于2025年财政年度录得净亏损约人民币5500万元至人民币6500万元,较截至2024年12月31日止年度(“2024年财政年度”)的净亏损约人民
近期,媒体报道三星电子计划今年第三季度生产SiC(碳化硅)功率半导体样品,该公司已订购原材料和组件。三星电子将推出的首款样品是一款平面SiC MOSFET, 聚焦车规级、工业级等高可靠性应用。未来三星还计划拓展沟槽型碳化硅MOSFET、碳化硅二极管、功率模块等全系列产品,完善碳化硅功率器件产品矩阵。
当地时间3月16日,在英伟达GTC2026大会上,领益智造旗下子公司立敏达(Readore)作为中国大陆企业,进入新一代Rubin架构Manifold(分水器)生态,展示了包括UQD/MQD快接头、Inner Manifold在内的核心液冷产品。此次GTC大会现场,英伟达展示了Rubin全液冷架构:
3月17日,北京君正在深交所互动易平台回应投资者提问时表示,目前公司DRAM芯片、Flash芯片及部分计算芯片价格均有调整,DRAM新制程产品已正式启动销售,预计2026年公司业绩将实现较好增长。据悉,自2025年三季度起,北京君正的DRAM产品已持续调整价格,不同品类产品调整幅度存在差异,Flas
近日,半导体检测技术解决方案供应商杭州创锐光谱科技集团有限公司完成超亿元A轮融资,本轮由杭实基金、海通创新、杭州高新金投集团领投,君联资本与光合创投跟投。创锐光谱创立于2016年,立足瞬态光谱技术,深耕科学仪器和半导体材料检测两大领域,构建覆盖基础科研至泛半导体检测的全系列产品线。
TrendForce集邦咨询: 英伟达多元产品线分攻AI训练与推理需求,以应对CSP自研ASIC规模升级根据TrendForce集邦咨询最新AI Server研究,在大型云端服务供应商(CSP)加大自研芯片力道的情况下,NVIDIA(英伟达)在GTC 2026大会改为着重各领域的AI推理应用落地,有
美东时间周三,美国存储芯片大厂美光公司发布了最新季度财报。财报显示,在截至2月末的2026财年第二财季,公司营收几乎增长了两倍,超出分析师预期,其给出的下一季度业绩指引也远超市场预期。报告期内,每股收益调整后为12.20美元,营收为238.6亿美元,较去年同期的80.5亿美元接近翻三倍,基于美国通用
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