集成 AMR 取代磁簧开关和霍尔效应传感器—IM电竞体育官方网站

来源：SiliconSemiconductor

台积电推出全集成各向异性磁阻(AMR) 传感器，取代工业应用中的磁簧开关和霍尔效应传感器。

TSHA2101 是一款集成片上系统 (SIP)，几乎不需要任何额外电路。 其全极设计可自动检测任一极性的水平磁场。

作为传统机械磁簧开关的替代品，TSHA2101 拥有更快的响应时间、卓越的耐用性以及抗磨损和抗老化能力。与传统霍尔效应器件相比，AMR 传感器具有更宽的磁场检测范围，允许设计人员在其应用中使用更小、更薄的磁体。

TSHA2101 AMR 器件专为高要求的工业应用而设计，可在 2.7 至 30 VDC 的电源电压范围内、-40°C 至 105°C 的工作温度环境下运行。 它还具有-30V反向电压保护和输出过流保护。

其应用包括机器人发送和控制系统、半导体制造和加工设备中的线性和旋转传感系统中的液压和气动缸位置传感、医疗设备和系统、机器缝纫和纺织机械、罐液位传感、数控和钻孔机、智能锁和安全电子系统。通过完全密封的 IP67+ 保护，也可以实现密封开关。

TSC产品副总裁Sam Wang 表示：“TSHA2101 AMR 传感器的集成度让一个重要的电子设计问题成为一个简单、集成、小型、经济高效的解决方案成为可能，从而节省了开发时间和资金。”

原文链接：

https://siliconsemiconductor.net/article/119134/Integrated_AMR_replaces_reed_switches_and_hall_effect_sensors

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